HBM4 基片 4nm 工艺需求增长带动，曝三星晶圆代工 2026 亏损同比收窄 41.8%

集邦咨询综合 digitaltoday 等多家媒体消息指出，受 HBM4 基片 4nm 工艺需求上升推动，三星电子晶圆代工与系统级芯片（System LSI）业务 2026 年合并营业亏损同比减少 42%。

HBM4 采用多层 DRAM 芯片垂直堆叠设计，底层基片负责信号控制与数据调度，主要面向 AI 加速器、GPU 等高算力芯片，提供远超传统 GDDR 的带宽与能效。

在 HBM4 堆叠结构中，最底层的逻辑芯片 base die 使用 4nm 工艺，随着市场需求快速扩大，三星正加快相关产能爬坡。三星今年 2 月启动 HBM4 量产出货，5 月向客户提供 HBM4E 样品，第三季度 HBM4 收入预计环比增幅超过三倍。

报道称，HBM4 占三星 HBM 总收入比例预计下半年超过 60%，同时基片产量随之增长，直接带动晶圆代工收入。

由于 HBM4 基片与先进节点订单需求强劲，三星无需再通过接受低价合同来提升产能利用率。7 月，三星将 4nm 新订单价格上调，部分先进节点价格涨幅达 10% 至 15%。

外部订单方面，三星 7 月与博通（Broadcom）签署谅解备忘录，计划 2030 年前合作规模超过 2,000 亿美元（现汇率约合 1.34 万亿元人民币），涵盖 HBM4/HBM4E 供应及 2nm 以下制程与先进封装。第二季度已获得大型云服务提供商及 AI、HPC 客户 2nm 项目，客户已启动产品设计。

Kiwoom 证券数据显示，三星晶圆代工和系统级芯片业务的合并营业亏损预计同比收窄 41.8%，从去年的 6.74 万亿韩元（现汇率约合 334.17 亿元人民币）降至今年的 3.92 万亿韩元（现汇率约合 194.35 亿元人民币）。